2018-02-07
3764
NB-IoT标准基于半双工设计，因此，在RF前端不需要配置双工器，简化射频前端设计复杂度。若功率放大器(Power Amplifier，PA)可以实现CMOS工艺，也可以考虑将PA集成进SoC，进一步降低上行信号发射时所产生的功耗损耗。
NB-IoT实际上吸取了短距离无线通信的一些设计理念，在保持适当灵活性的前提下，尽可能把设计做得简洁，如必须支持控制面(Control Plane，CP)模式等，因而可以认为介于传统蜂窝通信和短距离无线通信技术的中间状态。下面简单介绍这个状态的影响。
混合自动重传请求(Hybrid Auto Repeat reQuest，HARQ)的缓冲区回会比距离无线通信等要大一点，但是比传统LTE系统小很多(只支持单进程HARQ，TBS很小)
通信的协议栈会大一点。和短距离无线通信技术相比，NB-IoT的存储器需求更多。
传统的LTE通信芯片架构是基带+RF+Flash+SDRAM+PA，比较符合异常复杂的通信芯片架构。基带采用最先进的工艺，尺寸尽可能做小，性能尽可能高;RF有多模多频的需求，使用单独的裸芯片制作会更加容易一些，由于协议栈较大及物理层HARQ需要的缓冲区，必须标配SDRAM。
对于低功耗无线通信芯片，基本架构是SoC集成RF+Flash+PA，比较符合低成本的物联网通信架构。芯片总体复杂度不高，高集成度对功耗和成本都是有力的。
